BD139 + BD140 트랜지스터 TO-126 NPN PNP 80V 1.5A TO126 실리콘 삼극관 트랜지스터

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Shenzhen Allnewsemi Electronic Co., Ltd.11 yrs

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

BD139 BD140

유형

기타, 트라이오드 트랜지스터

유명 상표

Original

포장 유형

생각 구멍

기타 속성

장착 유형

표준

설명

실리콘 트라이오드 트랜지스터

원래 장소

Guangdong, China

패키지/케이스

D/ C

신청

기타, 컴퓨터

상호 참조

品名

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

작동 온도

마운트 유형

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

FET 특징

드레인 근원 전압 (Vdss)

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (최대) @ Id

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

Vgs (최대)

IGBT 유형

구성

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

응용프로그램

공급 전압

전압

패킹

봉인

포장

안전

포장 및 배송

포장 세부정보

판지

리드 타임

수량 (개)	1 - 100	> 100
예상 시간(일)	3	협의 예정

커스터마이징

Customized packaging

최소 주문: 2000

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>= 100 개

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