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최고의 제품 IRF740PBF 관통 구멍이 있는 새롭고 독창적인 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRF740PBF
유형
표준
유명 상표
Original standard
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
구멍을 통해
설명
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-220-3
작용 온도
55 °C ~ 150 °C(TJ)
시리즈
-
D/ C
최신
신청
표준
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 소매
상호 참조
IRF740PBF-BE3
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
이산 반도체 제품
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
2.6A(Ta)
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
4.5V,10V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
표준
저항 (R1)
표준
저항 이미터 (R2)
표준
FET 유형
N-채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
400 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
10A(Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250UA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
63 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1400 pF @ 25 V
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
10A(Tc)
잡음
표준
전원 출력
125W(Tc)
전압-정격
400 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 20V
IGBT 유형
표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
4.5V,10V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
225 pF @ 15 V
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
10V
저항 RDS (On)
표준
전압
10V
전압-출력
10V
전압 오프셋 (Vt)
10V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
표준
전류 밸리 (Iv)
10A(Tc)
전류-피크
표준
응용프로그램
일반 목적
패키지
50/튜브
기술
MOSFET (금속 산화물)
공급 업체 장치 패키지
TO-220AB
기본 제품 번호
IRF740
HTML 데이터 시트
IRF740PBF
EDA 모델
SnapEDA의 IRF740PBF
수분 감도 수준 (MSL)
1 (무제한)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
RoHS 상태
ROHS3 준수
포장 및 배송
포장 세부정보
오리지널 릴 트레이 튜브 박스 패키지
공급 능력
공급 능력
10000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 500 | 501 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 5 | 7 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
10 - 99 개
JP¥96
100 - 499 개
JP¥94
500 - 999 개
JP¥89
>= 1000 개
JP¥86
수량
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