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CG2H40010F 새로운 오리지널 RF JFET 트랜지스터 GaN HEMT DC-8.0GHz 10 Watt 28V RF 전력 트랜지스터 TO-59
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Shenzhen Ruichenyu Technology Co., Ltd.
2 yrs
CN
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
CG2H40010F
유형
JFET
유명 상표
Original brand
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
설명
RF 전력 트랜지스터
원래 장소
China
패키지/케이스
표준
D/ C
최신 날짜 코드
신청
고주파
공급 유형
원래 제조 업체, 기관, 소매
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
RF JFET 트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
표준
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
표준
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
표준
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
표준
전원 최대
표준
주파수-전환
표준
작동 온도
표준
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
표준
저항 이미터 (R2)
표준
FET 유형
표준
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
표준
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
표준
Rds (Max) @ Id, Vgs
표준
Vgs (th) (최대) @ Id
표준
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
표준
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
표준
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
표준
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
표준
저항 RDS (On)
표준
전압
표준
전압-출력
표준
전압 오프셋 (Vt)
표준
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
표준
전류 밸리 (Iv)
표준
전류-피크
표준
응용프로그램
표준
부품 번호
CG2H40010F
날짜 코드
최신 날짜 코드
조건
새로운 원래 공장 용품
보증
365 일
MOQ
1 pc
포장 및 배송
포장 세부정보
새로운 & 본래 표준 판지 포장.
항구
Shenzhen,HongKong,Guangzhou etc
공급 능력
공급 능력
1000 개 per Day
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리드 타임
수량 (개)
1 - 1000
1001 - 5000
5001 - 10000
> 10000
예상 시간(일)
1
3
5
협의 예정
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 100000
더 자세한 맞춤 제작 세부사항은,
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공급업체의 제품 설명
1 - 9 개
US$100.00
>= 10 개
US$30.00
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