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      COPOER 새로운 오리지널 BSS84LT1G BSS84 PD IC 칩 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 MOS SMD 트랜지스터 집적 회로

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      Ansoyo Electronic Limited복합 전문 공급업체5 yrsCN
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      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      BSS84LT1G
      유형
      Power MOSFET
      유명 상표
      COPOER
      포장 유형
      생각 구멍

      기타 속성

      원래 장소
      Guangdong, China
      패키지/케이스
      TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      D/ C
      New
      신청
      MOSFET 드라이버
      공급 유형
      원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매
      미디어 가능
      데이터 시트
      品名
      MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      -
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      -
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      -
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      -
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      -
      전원 최대
      -
      주파수-전환
      -
      작동 온도
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      마운트 유형
      표면 마운트
      저항 (R1)
      -
      저항 이미터 (R2)
      -
      FET 유형
      P-Channel
      FET 특징
      -
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      50V
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      130mA (Ta)
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      10Ohm @ 100mA, 5V
      Vgs (th) (최대) @ Id
      2V @ 0.25mA
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      2.5nC @ 10V
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      30pF @ 5V
      주파수
      -
      현재 등급 (암페어)
      -
      잡음
      -
      전원 출력
      -
      전압-정격
      -
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      5V
      Vgs (최대)
      ±20V
      IGBT 유형
      -
      구성
      -
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      -
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      -
      입력
      -
      NTC 서미스터
      -
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      -
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      현재 하수구 (Id)-Max
      -
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      -
      저항 RDS (On)
      -
      전압
      -
      전압-출력
      -
      전압 오프셋 (Vt)
      -
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      -
      전류 밸리 (Iv)
      -
      전류-피크
      -
      응용프로그램
      -
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