설명
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
원래 장소
Texas, United States
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
신청
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
121mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id
1.1V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
2.04 nC @ 8 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
195 pF @ 15 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
응용프로그램
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
패키지
테이프 & 릴 (TR), 컷 테이프 (CT), 디지릴
드라이브 전압 (최대 Rds 켜기, 최소 Rds 켜기)
1.8V, 8V