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DYD 트랜지스터 2SB688 B688 2SD718 오디오 파워 앰프 3 극관 트랜지스터 전자 부품 집적 회로
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
2SB688
유형
Transistor, Triode Transistor
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
D/ C
21+
신청
MOSFET 드라이버
미디어 가능
데이터 시트
品名
2SB688
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
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Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
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작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
N/A, Throught Hole
저항 (R1)
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저항 이미터 (R2)
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FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
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현재-드레인 (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id, Vgs
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Vgs (th) (최대) @ Id
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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
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주파수
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현재 등급 (암페어)
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잡음
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전원 출력
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전압-정격
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드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
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Vgs (최대)
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IGBT 유형
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구성
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Vce () (최대) @ Vge, Ic
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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
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입력
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NTC 서미스터
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전압 고장 (V (BR) GSS)
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전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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현재 하수구 (Id)-Max
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전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
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저항 RDS (On)
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전압
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전압-출력
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전압 오프셋 (Vt)
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전류 게이트 양극 누설 (Igao)
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전류 밸리 (Iv)
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전류-피크
/
응용프로그램
/
Transistor Type
PNP
Package
TO-3P
Collector-Base Voltage
-160V
Collector-Emitter Voltage
-120V
포장 및 배송
포장 세부정보
새롭고 독창적 인 공장 봉인 포장, 튜브, 트레이, 테이프 및 릴, 테이프 및 상자, 벌크 포장, 가방 등 이러한 포장 유형 중 하나에 포장됩니다. 자세한 내용은 친절하게 문의하십시오.
항구
shenzhen
리드 타임
| 수량 (쌍) | 1 - 2000 | > 2000 |
| 예상 시간(일) | 7 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
20 - 499 쌍
CN¥3.27
500 - 1999 쌍
CN¥2.90
>= 2000 쌍
CN¥2.54
Membership benefits
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