유형
Bipolar Transistor, Transistor
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
290m0hm 10A,10V
Vgs (th) (최대) @ Id
5V 250HA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
54nC 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500pF 25V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
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