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전자 이산 반도체 IRFP460PBF N 채널 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) 관통 구멍 TO-247AC 모스펫 트랜지스터

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
IRFP460PBF
유형
단일 FET, MOSFET
유명 상표
GOODVIEW
포장 유형
구멍을 통해

기타 속성

장착 유형
구멍을 통해
설명
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-247-3
유형
N-채널
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
시리즈
IRFP460PBF
D/ C
24 +
신청
표준
공급 유형
ODM, 소매, 기타
미디어 가능
데이터 시트
品名
단일 FET, MOSFET
전원 최대
280W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
구멍
FET 유형
N-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
500 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
210 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4200 pF @ 25 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 20V
트랜지스터 유형
단일 FET/MOSFET
제품 이름
MOSFET 트랜지스터
포장
튜브
기술
MOSFET (금속 산화물)
배송
DHL UPS 페덱스 EMS DHL
지불
페이팔 \ TT \ 웨스턴 유니온 \ 무역 보증
품질
100% 원래 100% 브랜드
서비스
원 스톱 Bom 서비스
리드 타임
3 - 7 일

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
1X1X1 cm
단일 총 중량:
0.100 kg

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