FDMS86201 MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN 이산 반도체 제품 트랜지스터 MOSFET 단일 피트 FDMS86201
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
FDMS86201
유형
트랜지스터
유명 상표
jinqilin
포장 유형
8-PQFN
기타 속성
장착 유형
표면 마운트
설명
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
원래 장소
China
패키지/케이스
8-PQFN
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
시리즈
파워트렌치
D/ C
23 +
品名
FDMS86201
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
FET 유형
N-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
120 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2735 pF @ 60 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
6V, 10V
Vgs (최대)
± 20V
공급 업체
심천 Jinqilin 기술 (주)
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
15X15X13 cm
단일 총 중량:
0.100 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10 | 11 - 100 | 101 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 5 | 7 | 협의 예정 |
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샘플 가격:
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100 - 999 개
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