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H30R1203 IHW30N120R3 RUIZEINC IGBT 1200V 60A 349W 대 247 IGBT 트랜지스터 원래 IHW30N120R3 H30R1203
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IHW30N120R3
유형
Diode/transistor
유명 상표
Original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
strandard, Through Hole
설명
Transistor
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-247
유형
MOSFET
작용 온도
Standard
시리즈
Transistor
D/ C
New
신청
Standard
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
品名
IHW30N120R3
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
Standard
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
Standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
Standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
Standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
Standard
전원 최대
Standard
주파수-전환
Standard
저항 (R1)
Standard
저항 이미터 (R2)
Standard
FET 유형
Standard
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
Standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (최대) @ Id
Standard
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
Standard
주파수
Standard
현재 등급 (암페어)
Standard
잡음
Standard
전원 출력
Standard
전압-정격
Standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
Standard
Vgs (최대)
Standard
IGBT 유형
Standard
구성
Standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
Standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
Standard
입력
Standard
NTC 서미스터
Standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
Standard
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
현재 하수구 (Id)-Max
Standard
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
Standard
저항 RDS (On)
Standard
전압
Standard
전압-출력
Standard
전압 오프셋 (Vt)
Standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
Standard
전류 밸리 (Iv)
Standard
전류-피크
Standard
응용프로그램
Standard
트랜지스터 유형
Standard
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\China Post
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Packing
New*original Packing
LEAD TIME
1-7Working
포장 및 배송
포장 세부정보
원래 포장
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
15X10X10 cm
단일 총 중량:
0.010 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 10000
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