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H30R1203 IHW30N120R3 칩 IGBT 1200V 60A 349W 대 247 IGBT 트랜지스터 오리지널 IHW30N120R3 H30R1203
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IHW30N120R3
유형
JFET
유명 상표
Original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
스트랜드, 구멍을 통해
설명
트랜지스터
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-247
유형
MOSFET
작용 온도
표준
시리즈
트랜지스터
D/ C
새로운
신청
표준
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
品名
IHW30N120R3
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
표준
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
표준
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
표준
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
표준
전원 최대
표준
주파수-전환
표준
저항 (R1)
표준
저항 이미터 (R2)
표준
FET 유형
표준
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
표준
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
표준
Rds (Max) @ Id, Vgs
표준
Vgs (th) (최대) @ Id
표준
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
표준
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
표준
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
표준
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
표준
저항 RDS (On)
표준
전압
표준
전압-출력
표준
전압 오프셋 (Vt)
표준
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
표준
전류 밸리 (Iv)
표준
전류-피크
표준
응용프로그램
표준
배송
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 중국 포스트
지불
페이팔 \ TT \ 웨스턴 유니온 \ 무역 보증
패킹
새로운 * 원래 포장
리드 타임
1-7working
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
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2X2X2 cm
단일 총 중량:
0.100 kg
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| 수량 (개) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
커스터마이징
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