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HFZT 트랜지스터 DIP TIP122 TO-220 오디오 mosfet 전력 증폭기 회로도 파워 mosfet 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
TIP122
유형
IGBT 트랜지스터 Triode 트랜지스터
유명 상표
original
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
WDFN-8, WDFN-8
D/ C
최신
신청
전자 제품
공급 유형
원래 제조 업체, ODM
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 다른
品名
MOSFET
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
표준
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
20 V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
표준
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
표준
전원 최대
표준
주파수-전환
표준
작동 온도
150 °C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
표준
저항 이미터 (R2)
표준
FET 유형
표준
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
20 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
표준
Rds (Max) @ Id, Vgs
표준
Vgs (th) (최대) @ Id
표준
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
표준
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
표준
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
표준
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
표준
전압
표준
전압-출력
표준
전압 오프셋 (Vt)
표준
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
범용
포장 및 배송
포장 세부정보
Standard packaging
항구
Shenzhen,HongKong
공급 능력
공급 능력
50000 개 per Week
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 5 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
최소 주문 수량: 10 개
US$0.15 - US$9.52수량
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