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인기 있는 트랜지스터 G20h603 집적 회로 (IC) 트랜지스터 G20h603
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
transistor g20h603
유명 상표
Original Manufacturer
포장 유형
TO-3P
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-3P
D/ C
2020
공급 유형
원래 제조 업체, 기관
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
80mW
주파수-전환
-
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-
FET 특징
적용
드레인 근원 전압 (Vdss)
120V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
10A
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
-
구성
3 단계
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
지불 방법
TT/웨스턴 유니온/페이팔 등
배송 방법
DHL/페덱스/EMS/중국 포스트 오피스
리드 타임
주식에서
로시
예
브랜드
원래 제조 업체
PN
1
포장 및 배송
포장 세부정보
원래 패킹
항구
HK/SZ
공급 능력
공급 능력
20000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 5 | 협의 예정 |
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