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트랜지스터 AOK30B60D1 K30B60D1 IGBT 600V 60A 208W TO247

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
K30b60d1
유형
Triode Transistor
유명 상표
original
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-247-3
D/ C
2020
신청
-
공급 유형
원래 제조 업체, 기관, Other
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진, Other
品名
IGBT 600V 60A 208W TO247
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
60A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
600V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
208W
주파수-전환
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ), 55 150
마운트 유형
Through Hole, Through Hole
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-, N-Channel
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 26A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
General purpose
Part Status
Active
Technology
MOSFET
Supplier Device Package
TO-247
Packaging
Tube
Warranty
365days
Data Code
Latest Details

포장 및 배송

포장 세부정보
original pacakge
항구
shenzhen
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
20.00X20.00X18.00 cm
단일 총 중량:
1.000 kg

공급 능력

공급 능력
1000 개 per Week

리드 타임

수량 (개)1 - 12 - 100 > 100
예상 시간(일)77협의 예정
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