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모터 드라이브 및 고출력 인버터용 IGBT 모듈 1200V 50A 하프 브리지 회로
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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.
1 yr
CN
주요 속성
핵심 산업 사양
유형
IGBT 모듈
포장
D1
기타 속성
패키지/케이스
D1
장착 유형
구멍을 통해, 나사 고정
설명
BV CES = 1200V, 낮은 전도 손실, 빠른 & 소프트 반대로 평행한 FWD, 정격 짧은 회로: TC = 100 ℃에서 10us, 격리 유형 패키지
모델 번호
AKMGN50HB120D1L
원래 장소
Zhejiang, China
유명 상표
AIKO
전압
1200 ± 20V
전류
50A(TC = 100 ℃), 75A(TC = 25 ℃)
구성
하프 브리지 회로, IGBT 트랜지스터, 빠르고 부드러운 반대로 평행한 FWD 다이오드
시리즈
IGBT 모듈
VCES
1200V
수집가 현재 (TC = 25 ℃)
75A
수집가 현재 (TC = 100 ℃)
50A
펄스 수집기 현재
100A
최대 전력 분산
416W
다이오드 역 복구 시간
80ns
VGE(th) 최대
7.5V
Qg
220nC
시즈
3400pF
모듈의 무게
155g
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리드 타임
수량 (개)
1 - 100
101 - 10000
> 10000
예상 시간(일)
20
30
협의 예정
커스터마이징
Customized logo
최소 주문: 1000
Customized packaging
최소 주문: 1000
Graphic customization
최소 주문: 1000
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100 - 9999 개
US$55.00
>= 10000 개
US$39.00
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