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IGBT 트랜지스터 YR75N65 FGH75T65SHDT IGBT 650V 150A 455W ~ 247 75T65S FGH75T65 FGH75T65SHDT

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
75T65 TO247
유형
MOSFET
유명 상표
YR
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
설명
모스펫
원래 장소
Jiangsu, China
패키지/케이스
To247
D/ C
NULL
신청
전원 스위치 회로
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, 기타, Other
상호 참조
YR75N65 TO247
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타
品名
모스펫
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
100A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
600V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
100A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
전원 최대
6W
주파수-전환
작동 온도
-150 ℃에 55
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
저항 이미터 (R2)
FET 유형
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
Rds (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
주파수
현재 등급 (암페어)
잡음
전원 출력
전압-정격
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
Vgs (최대)
IGBT 유형
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
입력
NTC 서미스터
전압 고장 (V (BR) GSS)
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
현재 하수구 (Id)-Max
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
저항 RDS (On)
전압
전압-출력
전압 오프셋 (Vt)
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
전류 밸리 (Iv)
전류-피크
2A
응용프로그램
트랜지스터 유형
모스펫
케이스에 정션 (DC)
1.3 ℃/W
Rth(j-a)
60 ℃/W
피크 게이트 전압
5V
VDRM/VRRM
600V
IT(AV)
8A
IT(RMS)
12A
ITSM
100-110A
배송
DHL \ UPS \ 페덱스 \ EMS \ HK 포스트
Dit/dt
50A/us
피크 게이트 전류
2A

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단일 품목
단일 패키지 크기:
52X11X9 cm
단일 총 중량:
6.000 kg

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예상 시간(일)71422협의 예정
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1 - 9 박스
CN¥12,688.45
10 - 99 박스
CN¥12,681.20
100 - 999 박스
CN¥12,673.96
>= 1000 박스
CN¥12,666.71

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