IGBT 웨이퍼 1200V 200A 컨버터를 위한 낮은 EMI 및 VCE(sat) 2.0V 중국 트랜지스터 칩
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
AKGW200T120S1
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
Aiko
포장 유형
베어 다이
기타 속성
장착 유형
내장
설명
트렌치 FS 기술, 낮은 EMI, 낮은 VCE(sat)
원래 장소
China
패키지/케이스
베어 다이
유형
IGBT 웨이퍼
작용 온도
-40 ℃ ~ + 150 ℃
신청
컨버터 및 전원 드라이버
공급 유형
원래 제조 업체, ODM
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
IGBT 전송 웨이퍼 AKGW75T120H2
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
200A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
1200V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
2.0V
작동 온도
-40℃~+150℃
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
4.5uC
현재 등급 (암페어)
200A
전압-정격
1200V
IGBT 유형
트렌치-FS
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
14.5nF
응용프로그램
일반적인 목적
트랜지스터 유형
IGBT 웨이퍼
웨이퍼 크기
8 인치
웨이퍼 두께
120 ± 10um
그로스 다이
144
스크라이브 라인
80um
펄스 콜렉터 전류
600A
Ic = 200A 에서 VCE(sat)
2.0V
Tsc
20us
VGE(th)
5.8V
시즈
14.5nF
Qg
4.5uC
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 100 | 101 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 20 | 30 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized logo
최소 주문: 1000
Customized packaging
최소 주문: 1000
Graphic customization
최소 주문: 1000
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공급업체의 제품 설명
5 - 999 개
US$120.00
>= 1000 개
US$70.00
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