IRF7341Q MOSFET 2-CH 55V 5.1A 8-SOIC npn 파워 트랜지스터

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Shenzhen Anterwell Technology Ltd11 yrs

CN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

IRF7341Q

유형

RF 트랜지스터

유명 상표

brand new

포장 유형

표면 마운트

기타 속성

장착 유형

표면 마운트

설명

새롭고 독창적 인

원래 장소

taiwan

패키지/케이스

8-SOIC

유형

표면 마운트

작용 온도

-45 ° C-85 ° C

시리즈

-

D/ C

최신

신청

고주파

공급 유형

원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, 기타

상호 참조

-

미디어 가능

데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타

品名

IC

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

-

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

-

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

-

전원 최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-55 °C ~ 175 °C

마운트 유형

표면 마운트

저항 (R1)

-

저항 이미터 (R2)

-

FET 유형

-

FET 특징

슈퍼 접합

드레인 근원 전압 (Vdss)

-

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

-

Rds (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

주파수

-

현재 등급 (암페어)

-

잡음

-

전원 출력

-

전압-정격

-

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

-

Vgs (최대)

-

IGBT 유형

-

구성

듀얼 벅 헬기

Vce () (최대) @ Vge, Ic

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

전압 고장 (V (BR) GSS)

-

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

-

현재 하수구 (Id)-Max

-

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

-

저항 RDS (On)

-

전압

-

전압-출력

-

전압 오프셋 (Vt)

-

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

-

전류 밸리 (Iv)

-

전류-피크

-

응용프로그램

-

트랜지스터 유형

-

유형

현장 효과 트랜지스터

VDS

55 V

VGS

± 20 V

EAS

140 mJ

IAR

5.1 A

배송

DHL \ UPS \ 페덱스 \ EMS \ HK 포스트

조건

원래 100%

보증

180 일

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배달 시간

빠른 선적

포장 및 배송

포장 세부정보

Origina 공장 밀봉 패키지: (1) 테이프 및 릴 (2) 테이프 및 상자 (3) 튜브 및 상자 (4) 트레이 및 상자 (5) 가방 포장에 대해 더 알고 싶다면 포장에 이메일을 보내주십시오.

공급 능력

공급 능력

100000 개 per Week

리드 타임

수량 (개)	1 - 9999	> 9999
예상 시간(일)	3	협의 예정

커스터마이징

222

최소 주문: 100000

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공급업체의 제품 설명

>= 10 개

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