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IRF840PBF 트랜지스터 MOSFET N-CH 500V 8A 3 핀 TO-220AB 전자 부품 집적 회로 IRF840PBF
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRF840PBF
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
Through Hole
기타 속성
설명
/
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-220-3
D/ C
New
신청
Power Management
공급 유형
원래 제조 업체, Other
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, Other
品名
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
10A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
80V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
10UA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
40 @ 4A, 1V
전원 최대
50W
주파수-전환
100MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
10 kOhms
저항 이미터 (R2)
10 kOhms
FET 유형
N-Channel
FET 특징
적용
드레인 근원 전압 (Vdss)
500V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
63nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1300pF @ 25V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
500 mA
잡음
-
전원 출력
200 mW
전압-정격
50.0 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±20V
IGBT 유형
-
구성
적용
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
50.0 V
전압-출력
50 V
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
Power Management, Industrial
Shipping way
DHL, FEDEX,EMS,Post office and so on
Payment ways
TT,Western Union, Credit card,alipay and so on
Price
Pls contact us
Quality
High-quality
포장 및 배송
포장 세부정보
상자
항구
HONGKONG
공급 능력
공급 능력
10000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 7 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 20000
더 자세한 맞춤 제작 세부사항은, 공급업체에 메시지 보내기
공급업체의 제품 설명
10 - 499 개
€0.113
500 - 1999 개
€0.0848
>= 2000 개
€0.0471
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