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IRFB4227PBF IRFB4227 3 다이오드 트랜지스터 집적 회로 칩 IC MOSFET 드라이버 IRFB4227PBF
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRFB4227PBF
유형
Single Bipolar Transistors
유명 상표
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포장 유형
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기타 속성
장착 유형
standard
설명
standard
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
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유형
standard
작용 온도
standard
시리즈
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D/ C
standard
신청
Other
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, Other
상호 참조
standard
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, Other
品名
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전류 콜렉터 (Ic) (최대)
standard
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
standard
전원 최대
standard
주파수-전환
standard
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
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저항 이미터 (R2)
standard
FET 유형
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FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
standard
Rds (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (최대) @ Id
standard
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
standard
주파수
standard
현재 등급 (암페어)
standard
잡음
standard
전원 출력
standard
전압-정격
standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
standard
Vgs (최대)
standard
IGBT 유형
standard
구성
standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
standard
입력
standard
NTC 서미스터
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전압 고장 (V (BR) GSS)
standard
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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현재 하수구 (Id)-Max
standard
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
standard
저항 RDS (On)
standard
전압
standard
전압-출력
standard
전압 오프셋 (Vt)
standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
standard
전류 밸리 (Iv)
standard
전류-피크
standard
응용프로그램
standard
트랜지스터 유형
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포장 및 배송
포장 세부정보
상자
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 예상 시간(일) | 17 | 협의 예정 |
커스터마이징
YP
최소 주문: 10000
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