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IRFPC60LCPBF MOSFET 600V N-CH HEXFET 집적 회로

아직 리뷰가 없습니다250 판매

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
IRFPC60LCPBF
유형
/
유명 상표
original

기타 속성

장착 유형
구멍을 통해
설명
MOSFET 600V N-CH HEXFET
원래 장소
original
패키지/케이스
/
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
/
작동 온도
/
저항 (R1)
/
저항 이미터 (R2)
/
Vds-드레인-소스 고장 전압:
600 V
Id-연속 배수 현재:
16 A
Rds 온 드레인 소스 저항:
400 mOhms
Vgs-게이트 소스 전압:
-30 V, + 30 V
Qg-게이트 충전:
120 nC
Pd-전력 분산:
280 W

포장 및 배송

포장 세부정보
표준
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
1X1X1 cm
단일 총 중량:
1.000 kg

공급 능력

공급 능력
10000 개 per Week

리드 타임

수량 (개)1 - 2000 > 2000
예상 시간(일)15협의 예정
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