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IRLL110TRPBF 전원 MOSFET (금속산화물) 1 N 채널 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta) 3.1W (Tc) 표면 장착 SOT-223 트랜지스터 피트
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRLL110TRPBF
유형
Transistor
유명 상표
Original Brand
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
Surface Mount
설명
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-261-4 TO-261AA
유형
1 N-Channel
작용 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
시리즈
HEXFET
D/ C
newest
신청
범용
공급 유형
소매
상호 참조
IRLL110PBFDKR
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, Other
品名
Transistor
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
same as original
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
original standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
same as original
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
original standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
same as original
전원 최대
2W (Ta) 3.1W (Tc)
주파수-전환
original standard
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
same as original
저항 이미터 (R2)
original standard
FET 유형
N-Channel
FET 특징
same as original
드레인 근원 전압 (Vdss)
100 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 900mA 5V
Vgs (th) (최대) @ Id
2V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1330pF @ 30V
주파수
original standard
현재 등급 (암페어)
same as original
잡음
original standard
전원 출력
2W (Ta)3.1W (Tc)
전압-정격
original standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
same as original
Vgs (최대)
same as original
IGBT 유형
same as original
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
same as original
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
original standard
입력
same as original
NTC 서미스터
original standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
same as original
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
현재 하수구 (Id)-Max
same as original
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
original standard
저항 RDS (On)
same as original
전압
original standard
전압-출력
same as original
전압 오프셋 (Vt)
original standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
same as original
전류 밸리 (Iv)
original standard
전류-피크
same as original
응용프로그램
General Purpose
트랜지스터 유형
1 N-Channel
SPQ
2.5k/reel
Number of Elements per Chip
2
PCB changed
3
Pin Count
4
Lead Shape
Gull-wing
Unit Weight:
0.008818 oz
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Channel Mode
Enhancement
Rise Time:
47 ns
Fall Time:
18 ns
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
19X19X10 cm
단일 총 중량:
1.000 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 2500 | > 2500 |
| 예상 시간(일) | 15 | 협의 예정 |
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