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      OTDR 용 InGaAs 펄스 눈사태 포토 다이오드

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      Wuhan Shengshi Optical Technology Co., Ltd.10 yrsCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      MAP-3XXXM4
      유명 상표
      Shengshi Optical

      기타 속성

      유형
      Avalanche PhotoDiode
      원래 장소
      Hubei, China
      포장 유형
      구멍
      신청
      OTDR
      공급 유형
      원래 제조 업체
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진
      최대. 앞으로 전압
      -
      최대. 반전 전압
      45V(VBR)
      최대. 앞으로 현재
      10mA
      최대. 반전 현재
      0.5mA
      제품 이름
      Avalanche PhotoDiode
      칩 물자
      InGaAs
      파장
      1100-1650nm
      신청
      OTDR
      모양
      3 핀
      유형
      섬유 피그 테일
      인증
      ISO9001
      보증
      12 개월
      배송 방법
      DHL TNT UPS 페덱스에
      리드 시간
      2-5days

      포장 및 배송

      포장 세부정보
      Standard ESD package with TNT/UPS/SF-Express
      항구
      Wuhan/Shenzhen

      공급 능력

      공급 능력
      30000 개 per Month
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