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Irf840strl 트랜지스터 모펫 N채널 850 모흐스 263-3 Irf840strlbf
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Shenzhen Huahai Fengfa Electronic Technology Co., Ltd.
복합 전문 공급업체
2 yrs
CN
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRF840STRLPBF
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
Original
포장 유형
-
기타 속성
장착 유형
맞춤
원래 장소
Guangdong, China
D/ C
-
신청
-
品名
IRF840STRLPBF
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
작동 온도
-
마운트 유형
-
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
--
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
--
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
부품 번호
IRF840STRLPBF
패키지/케이스:
TO-263-3
Vgs-게이트 소스 전압:
-20 V, + 20 V
트랜지스터 극성:
N-채널
최소 작동 온도:
-55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
채널 수:
1 채널
Vds-드레인-소스 고장 전압:
500 V
Pd-전력 분산:
3.1 W
품질
고품질
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> 100000
예상 시간(일)
2
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