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요르동 향상 반도체 오리지널 새로운 모스펫 트랜지스터 IPD30N06S4L-23
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IPD30N06S4L-23
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
TO-252-3
기타 속성
장착 유형
Surface Mount
설명
1200pF @25V(Vds) N-CH
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-252-3
작용 온도
-55 ℃~175 ℃
D/ C
New
신청
MOSFETs
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
品名
IPD30N06S4L-23
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
작동 온도
- 55 C~+ 175 C
마운트 유형
SMD/SMT
응용프로그램
MOSFETs
Transistor Polarity:
N-Channel
Power dissipation
36 W
Drain-source voltage (Vds)
60 V
Continuous drain current (Ids)
30 A
Rise time
1 ns
Input capacitance (Ciss)
1200pF @25V(Vds)
Fall time
3 ns
Power dissipation(Max)
36 W
Manufacturing applications
Solenoids control, Single-ended motors, Lighting, Valves control
Package
TO-252-3
포장 및 배송
포장 세부정보
Reel
항구
shenzhen
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
1X1X1 cm
단일 총 중량:
1.000 kg
공급 능력
공급 능력
20000 개 per Week
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 1 | 협의 예정 |
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샘플
Maximum order quantity: 1 개
샘플 가격:
US$1.20/개
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100 - 499 개
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>= 500 개
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