지킹 MOSFET 3N150 N-CH 1500V 2.5A ~ 247 STW3N150

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Shenzhen Jeking Electronic Corp.

복합 전문 공급업체9 yrs

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

STW3N150

유형

RF 트랜지스터

유명 상표

original brand

포장 유형

생각 구멍

기타 속성

장착 유형

SMD/SMT

설명

STANDARD

원래 장소

California, United States

패키지/케이스

TO-247-3

D/ C

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공급 유형

원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매

상호 참조

미디어 가능

데이터 시트, 사진

品名

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

작동 온도

150°C (TJ)

마운트 유형

구멍

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

N-Channel

FET 특징

드레인 근원 전압 (Vdss)

1500V

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

2.5A (Tc)

Rds (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250uA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

939pF @ 25V

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

10V

Vgs (최대)

±30V

IGBT 유형

구성

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

응용프로그램

Part Number

STW3N150

Description

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247

FET Type

N-Channel

Drain to Source Voltage

1500V (1.5kV)

Current @ 25°C

2.5A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250uA

Gate Charge @ Vgs

29.3nC @ 10V

Input Capacitance @ Vds

5V @ 250uA

Power Dissipation (Max)

140W (Tc)

Supplier Device Package

TO-247

포장 및 배송

포장 세부정보

튜브

공급 능력

스탠드 패킹

리드 타임

수량 (개)	1 - 1000	> 1000
예상 시간(일)	5	협의 예정

커스터마이징

Customized packaging

최소 주문: 99999

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공급업체의 제품 설명

100 - 499 개

US$2.90

500 - 999 개

US$2.60

>= 1000 개

US$2.50

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