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Jeking MOSFET IRLZ44 N-CH 60V 50A TO-220AB IRLZ44NPBF
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRLZ44
유형
Transistor
유명 상표
Original Brand
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
원래 장소
Johor, Malaysia
패키지/케이스
TO-220-3
D/ C
-
신청
-
상호 참조
-
品名
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N-Channel
드레인 근원 전압 (Vdss)
60V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 31A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id
2V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
66nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3300pF @ 25V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
4V, 5V
Vgs (최대)
±10V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
Part Number
IRLZ44
Description
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage
60V
Current @ 25°C
50A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250uA
Gate Charge @ Vgs
66nC @ 5V
Input Capacitance @ Vds
2V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220AB
포장 및 배송
포장 세부정보
Tube
공급 능력
공급 능력
88000 개 per Day standar을 포장
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000000 | > 1000000 |
| 예상 시간(일) | 2 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
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