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K4005 2SK4005 TO220 집적 회로 MOSFET K4005 트랜지스터 K4005 2SK4005 mosfet k4005

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
2SK4005
유형
트랜지스터
유명 상표
original
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-220
D/ C
재고 있음
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
전자 부품
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
/
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
/
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
/
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
/
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
/
전원 최대
/
주파수-전환
/
작동 온도
-40 ℃ ~ 135 ℃
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
/
저항 이미터 (R2)
/
FET 유형
20V 듀얼 채널 MOSFET
FET 특징
/
드레인 근원 전압 (Vdss)
/
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id, Vgs
/
Vgs (th) (최대) @ Id
/
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
/
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
/
주파수
/
현재 등급 (암페어)
/
잡음
/
전원 출력
/
전압-정격
/
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
/
Vgs (최대)
/
IGBT 유형
MOSFET
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
/
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
/
입력
/
NTC 서미스터
/
전압 고장 (V (BR) GSS)
/
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
현재 하수구 (Id)-Max
/
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
/
저항 RDS (On)
/
전압
20V
전압-출력
/
전압 오프셋 (Vt)
/
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
/
전류 밸리 (Iv)
/
전류-피크
/
응용프로그램
트랜지스터

포장 및 배송

포장 세부정보
1.Anti static packaging
2.shock proof packaging
항구
shenzhen

공급 능력

공급 능력
50000 개 per Week

리드 타임

수량 (개)1 - 3000030001 - 50000 > 50000
예상 시간(일)35협의 예정

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