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KT메릴칩 하이 퀄리티 재고 모펫 트랜지스터 IRF540N 전자 부품 3205ZPBF
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRF3205ZPBF
유형
MOSFET standard
유명 상표
IC IRF3205ZPBF
포장 유형
HoleThrough 구멍을 통해 HoleThrough 구멍
기타 속성
장착 유형
구멍을 통해 HoleThrough 구멍
설명
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
원래 장소
China
패키지/케이스
TO-220-3
유형
MOSFET 표준
작용 온도
-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)-55 ° C ~ 1
시리즈
IRF3205
D/ C
최신
신청
마이크로폰
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, 기타
상호 참조
기타
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타
品名
IC IRF3205ZPBF
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
75A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
기타
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
기타
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
75A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
75A
전원 최대
기타
주파수-전환
기타
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 1
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
기타
저항 이미터 (R2)
기타
FET 유형
MOSFET 표준
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
40V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
75A
Rds (Max) @ Id, Vgs
기타
Vgs (th) (최대) @ Id
기타
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
기타
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
기타
주파수
기타
현재 등급 (암페어)
75A
잡음
기타
전원 출력
기타
전압-정격
기타
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
40V
Vgs (최대)
± 20V
IGBT 유형
MOSFET 표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
기타
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
기타
입력
other
NTC 서미스터
기타
전압 고장 (V (BR) GSS)
40V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
75A
현재 하수구 (Id)-Max
75A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
기타
저항 RDS (On)
기타
전압
기타
전압-출력
40V
전압 오프셋 (Vt)
기타
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
75A
전류 밸리 (Iv)
75A
전류-피크
75A
응용프로그램
마이크
트랜지스터 유형
MOSFET 표준
우리에 대해서
경험 15 년
입력
기타
선적
DHL UPS 페덱스 EMSChina 포스트
지불
T/T 웨스턴 유니온 페이팔크레디트 카드/C
전압-출력
기타
드라이브 전압 (최대 Rds 켜기, 최소 Rds 켜기)
기타
조건
원래 100%
원산지
중국 품질
공장 에이전트
예
전력 분산 (최대)
170W (Tc)
공급 능력
공급 능력
99999 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10 | > 10 |
| 예상 시간(일) | 7 | 협의 예정 |
커스터마이징
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최소 주문: 1
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