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Kazy 고주파 트랜지스터 Mosfet 스테레오 전력 증폭기 회로 N 채널 Mosfet 스위치
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
Transistor
유형
Field-Effect Transistor
유명 상표
original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
-, 구멍을 통해
설명
-
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
-
유형
-, JFET, 현장 효과 트랜지스터
작용 온도
-, -
시리즈
-
D/ C
-
신청
마이크, 전자 제품, PCB BOM 전체 서비스
공급 유형
원래 제조 업체, ODM
상호 참조
-
미디어 가능
사진
品名
Mosfet 스테레오 전력 증폭기
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
표준
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
표준
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
표준
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
표준
저항 RDS (On)
표준
전압
표준
전압-출력
표준
전압 오프셋 (Vt)
표준
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
표준
전류 밸리 (Iv)
표준
전류-피크
표준
응용프로그램
-
트랜지스터 유형
-
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
2X2X2 cm
단일 총 중량:
0.003 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 5 | 협의 예정 |
커스터마이징
Original packing
최소 주문: 1000
더 자세한 맞춤 제작 세부사항은, 공급업체에 메시지 보내기
공급업체의 제품 설명
10 - 99 개
IDR 43,352
100 - 999 개
IDR 22,597
>= 1000 개
IDR 14,897
Membership benefits
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