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저렴한 가격 고품질 H30R1203 H30R1202 30R1202 고출력 트랜지스터 IGBT 튜브

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
H30R1202
유형
MOSFET
유명 상표
JDP/Original Brand
포장 유형
인라인

기타 속성

장착 유형
구멍을 통해
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
/
유형
IGBT
작용 온도
-55 + 150 C
D/ C
21 +
신청
기타
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관
상호 참조
H30R120, H30R1353
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
H30R1202
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
6 A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
100V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
1.5 V
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
0.7 mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
15
전원 최대
65 W
주파수-전환
3 MHz
작동 온도
-
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-, N-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
800V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
25A
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
200mA
잡음
-
전원 출력
250W
전압-정격
40V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
6V
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
N-CHANNEL, NPT, 트렌치 필드 스톱
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
고출력 유도 밥솥
제조자 제품 번호
H30R1202
설명
/
제품
H30R1203 H30R1202
극성/채널 유형
N-CHANNEL
에너지 전환
3.1mJ
시리즈
트렌치 스톱
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