장착 유형
Power Mosfet Transistor
설명
The HC4616 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
유형
N+P Channel MOSFET HC4616 AO4616
시리즈
Power Mosfet Transistor
상호 참조
AO4616 Si5332 cd08816 X9314wmiz-3
品名
N+P Channel Multifunctional MOSFET
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
Standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
Standard
드레인 근원 전압 (Vdss)
N+P channel 30V\-30V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
7A\-6A
Rds (Max) @ Id, Vgs
21mΩ\27mΩ
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
Standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
Standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
Standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
Standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
Standard
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
Standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
Standard
트랜지스터 유형
N+P Power Mosfet Transistor
Transistors Mosfet
HC4616 AO4616
N+P-Channel Mosfet
30V 7A 30V 6A
Vds Drain-Source Voltage
30v\-30V
VGS Gate-Source Voltage
20V
Quality
100% Original 100% Brand