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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
BSP130
유형
MOSFET
유명 상표
original
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

원래 장소
China
패키지/케이스
SOT223
D/ C
-
공급 유형
원래 제조 업체
品名
BSP372NH6327XTSA1
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
350mA
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
300 V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
1.5W
주파수-전환
-
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N 채널
FET 특징
적용
드레인 근원 전압 (Vdss)
300 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
350mA
Rds (Max) @ Id, Vgs
6 옴 @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
120 pF @ 25 V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
1.5W
전압-정격
300 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 20V
IGBT 유형
-
구성
적용
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
100 V
전압-출력
100 V
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-

리드 타임

수량 (개)1 - 10000 > 10000
예상 시간(일)5협의 예정

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