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N 채널 향상 모드 전원 MOSFET N 채널 30v 모스핏 트랜지스터 JMTP3008A SOP8 업용 전 스톡 모스핏 JMTP3008A
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
JMTP3008A
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
Standard
설명
Standard
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
SOP8
유형
MOSFET
작용 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
D/ C
Newest
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
사진, 데이터 시트, EDA CAD 모델
品名
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N Channel
FET 특징
/
드레인 근원 전압 (Vdss)
30V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
8mΩ @ VGS =10V ; 14mΩ @ VGS =4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1116 pF @15V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
20V
IGBT 유형
-
구성
/
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
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10.00X10.00X10.00 cm
단일 총 중량:
0.100 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 7 | 협의 예정 |
커스터마이징
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최소 주문: 20000
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100 - 999 개
US$0.30
>= 1000 개
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