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NVD3055L170T4G MOSFET N-CH 60V 9A DPAK 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET 단일 피트 NVD3055L170T4G
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
NVD3055L170T4G
유형
트랜지스터
유명 상표
jinqilin
포장 유형
TO-252-3
기타 속성
장착 유형
표면 마운트
설명
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
원래 장소
China
패키지/케이스
TO-252-3
작용 온도
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
시리즈
자동차 AEC-Q101
D/ C
23 +
品名
NVD3055L170T4G
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
FET 유형
N-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
60 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id
2V @ 250A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
10 nC @ 5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
275 pF @ 25 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
5V
Vgs (최대)
± 15V
공급 업체
심천 Jinqilin 기술 (주)
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
15X15X13 cm
단일 총 중량:
0.100 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1 | > 1 |
| 예상 시간(일) | 1 | 협의 예정 |
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