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새로운 오리지널 IRF3205PBF 전자 부품 IC 전원 MOSFET 트랜지스터 N 채널 트랜지스터 IRF3205 IRF3205PBF
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRF3205PBF
유형
MOSFET
유명 상표
standard
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
설명
전원 MOSFET 트랜지스터
원래 장소
standard
패키지/케이스
-
시리즈
IRF3205
D/ C
새로운 +
신청
-
공급 유형
소매, 기타
미디어 가능
데이터 시트
品名
전원 MOSFET 트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
마운트 유형
-
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
55 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
146 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3247 pF @ 25 V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
200W (Tc)
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 20V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
RF 전력 증폭기 MRF6VP11KH
포장 및 배송
포장 세부정보
고객 요구 사항에 따른 의사 소통 결정
항구
ShenZhen
공급 능력
공급 능력
100000 개 per Month
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 100 | 101 - 10000 | 10001 - 100000 | > 100000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 10 | 30 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized logo
최소 주문: 50000
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