새롭고 독창적 인 k8a50d IC 칩 전자 부품 BOM 집적 회로 k8a50d

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Shenzhen Kazy Tech Co., Ltd.3 yrs

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

k8a50d

유형

현장 효과 트랜지스터

유명 상표

original

포장 유형

생각 구멍

기타 속성

장착 유형

구멍을 통해, 구멍을 통해

설명

K8a50d

원래 장소

Guangdong, China

패키지/케이스

표준, TO-220-3

유형

트랜지스터, IGBT 트랜지스터

작용 온도

-30 °C ~ 100 °C, -55 ℃ ~ 150 ℃

시리즈

D/ C

최신

신청

주파수 변환기

공급 유형

원래 제조 업체, ODM, 기관

상호 참조

N/A

미디어 가능

데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델

品名

트랜지스터

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

N/A

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

N/A

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

N/A

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

N/A

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

N/A

전원 최대

N/A

주파수-전환

N/A

저항 (R1)

표준

저항 이미터 (R2)

N/A

FET 유형

N/A

FET 특징

N/A

드레인 근원 전압 (Vdss)

N/A

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

N/A

Rds (Max) @ Id, Vgs

N/A

Vgs (th) (최대) @ Id

N/A

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

표준

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

N/A

주파수

N/A

현재 등급 (암페어)

N/A

잡음

N/A

전원 출력

N/A

전압-정격

N/A

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

N/A

Vgs (최대)

N/A

IGBT 유형

표준

구성

N/A

Vce () (최대) @ Vge, Ic

N/A

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

N/A

입력

N/A

NTC 서미스터

N/A

전압 고장 (V (BR) GSS)

N/A

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/A

현재 하수구 (Id)-Max

N/A

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

N/A

저항 RDS (On)

N/A

전압

600V

전압-출력

N/A

전압 오프셋 (Vt)

N/A

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

N/A

전류 밸리 (Iv)

N/A

전류-피크

N/A

응용프로그램

N/A

포장 및 배송

판매 단위:

단일 품목

단일 패키지 크기:

2X2X2 cm

단일 총 중량:

0.003 kg

리드 타임

수량 (개)	1 - 30000	30001 - 50000	> 50000
예상 시간(일)	3	5	협의 예정

커스터마이징

Original packing

최소 주문: 1000

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10 - 99 개

US$2.58

100 - 999 개

US$1.29

>= 1000 개

US$0.88

변형

총 옵션:

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