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원본 Mosfet 2sc5200 2sa1943 PNP TO-3PL 전력 증폭기 mosfet 80v 2sc5200 2sa1943 원본

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
2sc5200 2sa1943 original
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

장착 유형
Standard
설명
Standard
원래 장소
Japan
패키지/케이스
TO252
유형
IGBT 400V 41A 150W DPAK
작용 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
D/ C
newest
신청
범용
공급 유형
기관
상호 참조
p75nf75
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
5200 transistor
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
41A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
400V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
5v
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
150W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
55 @ 1A, 5V
전원 최대
150W
주파수-전환
PLEASE REFER TO DATASHEET
작동 온도
-
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
PLEASE REFER TO DATASHEET
저항 이미터 (R2)
PLEASE REFER TO DATASHEET
FET 유형
PNP
FET 특징
슈퍼 접합
드레인 근원 전압 (Vdss)
60
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
30
Rds (Max) @ Id, Vgs
PLEASE REFER TO DATASHEET
Vgs (th) (최대) @ Id
PLEASE REFER TO DATASHEET
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1290pF
주파수
PLEASE REFER TO DATASHEET
현재 등급 (암페어)
8A
잡음
PLEASE REFER TO DATASHEET
전원 출력
Standard
전압-정격
800V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
PLEASE REFER TO DATASHEET
Vgs (최대)
PLEASE REFER TO DATASHEET
IGBT 유형
Bipolar Junction Transistor
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
Standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
1290pF
입력
1290pF
NTC 서미스터
PLEASE REFER TO DATASHEET
전압 고장 (V (BR) GSS)
800v
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100UA
현재 하수구 (Id)-Max
100UA
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
800v
저항 RDS (On)
PLEASE REFER TO DATASHEET
전압
800V
전압-출력
800v
전압 오프셋 (Vt)
+/-30v
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
PLEASE REFER TO DATASHEET
전류 밸리 (Iv)
8A
전류-피크
28A
응용프로그램
Industrial Inverters &Servo
Lead time
1-3 Working Days
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DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Warranty
90-180Days

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