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오리지널 모스펫 PMC4996 PMC4996X MC4996X PP1ML4 40V 140A N 채널 향상 모드 동력장 효과 트랜지스터

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
PMC4996X PP1ML4
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
-

기타 속성

장착 유형
SMD
설명
N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
sop8
유형
N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor
작용 온도
-
시리즈
PMC4996X
D/ C
2023+
신청
IOT
공급 유형
Other
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
-
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
--
응용프로그램
-

포장 및 배송

포장 세부정보
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
10X10X10 cm
단일 총 중량:
0.030 kg

리드 타임

수량 (개)1 - 10000 > 10000
예상 시간(일)7협의 예정

커스터마이징

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최소 주문: 3000

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30 - 99 개
US$1.50
100 - 999 개
US$1.40
>= 1000 개
US$1.30

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