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새로운 180A 75V N-CH 파워 모스펫 트랜지스터 IRF3207 mosfet_트랜지스터 IRF3207 IRF3207

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
IRF3207
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

장착 유형
표준
설명
표준
원래 장소
Taiwan, China
패키지/케이스
TO-220-3
유형
전원 트랜지스터, 현장 효과 트랜지스터
작용 온도
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
D/ C
123
신청
상업적인 제품, 컴퓨터
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
IRF3207
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
50
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
4
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
0.6
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
0.5
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
1
전원 최대
225
주파수-전환
1
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
1
저항 이미터 (R2)
1
FET 유형
N-채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
55V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
146nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3247pF @ 25V
주파수
1
현재 등급 (암페어)
1
잡음
1
전원 출력
1
전압-정격
10
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 20V
IGBT 유형
1
구성
적용
Vce () (최대) @ Vge, Ic
1
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
1
입력
1
NTC 서미스터
417 ℃/W
전압 고장 (V (BR) GSS)
20
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
현재 하수구 (Id)-Max
1
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
1
저항 RDS (On)
1
전압
10
전압-출력
10
전압 오프셋 (Vt)
1
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
1
전류 밸리 (Iv)
1
전류-피크
1
응용프로그램
가전 제품
리드타임
재고
보증
90 일
배송 방법
DHL \ UPS \ 페덱스 \ EMS \ HK 포스트
지불 방법
페이팔 \ TT \ 웨스턴 유니온 \ 무역 보증
품질
고품질
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100 - 999 개
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