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      QXW 트랜지스터 N 채널 모스핏 800V 8A TO-220F(TO-220IS) MOS IC 칩 8N80C FQPF8N80C

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      Shenzhen Qixinwei Technology Co., Ltd.복합 전문 공급업체2 yrsCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      FQPF8N80C
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      origin
      포장 유형
      구멍을 통해

      기타 속성

      장착 유형
      표면 마운트
      설명
      Mosfet
      원래 장소
      origin
      패키지/케이스
      TO-220F
      D/ C
      최신
      신청
      범용
      공급 유형
      원래 제조 업체
      미디어 가능
      데이터 시트
      品名
      MOSFET
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      -
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      -
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      -
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      -
      전원 최대
      -
      주파수-전환
      -
      작동 온도
      -55 ~ 150 ℃
      마운트 유형
      구멍
      저항 (R1)
      -
      저항 이미터 (R2)
      -
      FET 유형
      Mosfet N 채널
      FET 특징
      표준
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      800V
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      8A
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      1.55Ω @ 10V,4A
      Vgs (th) (최대) @ Id
      5V @ 250μA
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      45nC @ 10V
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      2050pF @ 25V
      더 보기

      리드 타임

      수량 (개)1 - 3000030001 - 300000 > 300000
      예상 시간(일)57협의 예정

      커스터마이징

      Graphic customization
      최소 주문: 100000
      Customized packaging
      최소 주문: 100000
      Customized logo
      최소 주문: 100000
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