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      SGL160N60UFD G160N60UFD G160N60 TO-3PL 600V 160A 고출력 IGBT 3 극소 브랜드 새롭고 독창적

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      Shenzhen Xinlifa Electronics Co., Ltd.1 yrCN
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      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      SGL160N60UFD
      유형
      -
      유명 상표
      Original
      포장 유형
      -

      기타 속성

      장착 유형
      -
      설명
      높은 전력 IGBT triode
      원래 장소
      Guangdong, China
      패키지/케이스
      -
      유형
      -
      작용 온도
      -
      시리즈
      -
      D/ C
      -
      신청
      -
      공급 유형
      기관
      상호 참조
      -
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, 기타
      品名
      SGL160N60UFD
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      -
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      -
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      -
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      -
      작동 온도
      -
      마운트 유형
      -
      저항 (R1)
      -
      저항 이미터 (R2)
      -
      FET 유형
      -
      FET 특징
      -
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      -
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (최대) @ Id
      -
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      -
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      -
      주파수
      -
      현재 등급 (암페어)
      -
      잡음
      -
      전원 출력
      -
      전압-정격
      -
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      -
      Vgs (최대)
      -
      IGBT 유형
      -
      구성
      -
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      -
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      -
      입력
      -
      NTC 서미스터
      -
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      -
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      현재 하수구 (Id)-Max
      -
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      -
      저항 RDS (On)
      -
      전압
      -
      전압-출력
      -
      전압 오프셋 (Vt)
      -
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      -
      전류 밸리 (Iv)
      -
      전류-피크
      -
      응용프로그램
      -
      트랜지스터 유형
      -
      리드타임
      1-2 일
      배송
      DHL 페덱스 UPS TNT
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      패킹
      안티 정적 가방
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      색상
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      조건
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      공급 능력

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