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      SI7938DP-T1-GE3 Mosfet 어레이 트랜지스터 FET 2 N 채널 전력 MOSFET (금속 산화물) 듀얼 듀얼 드레인 PowerPAK-SO-8 향상

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      SI7938DP-T1-GE3
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      original brand
      포장 유형
      표면 마운트

      기타 속성

      장착 유형
      Surface Mount
      설명
      MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
      원래 장소
      original
      패키지/케이스
      PowerPAK SO-8 Dual
      유형
      2 N-Channel
      작용 온도
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      시리즈
      TrenchFET
      D/ C
      newest
      신청
      범용
      공급 유형
      소매
      상호 참조
      SI7938DP-T1-GE3CT
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
      品名
      transistors
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      original standard
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      original standard
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      original standard
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      original standard
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      original standard
      전원 최대
      46W
      주파수-전환
      original standard
      작동 온도
      -55°C ~ 150°C(TJ)
      마운트 유형
      표면 마운트
      저항 (R1)
      original standard
      저항 이미터 (R2)
      original standard
      FET 유형
      N-Channel
      FET 특징
      same as original
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      40 V
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      60A
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      5.8mOhm @ 18.5A 10V
      Vgs (th) (최대) @ Id
      2.5V @ 250uA
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      65nC @ 10V
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      2300pF @ 20V
      주파수
      original standard
      현재 등급 (암페어)
      same as original
      잡음
      original standard
      전원 출력
      46W
      전압-정격
      original standard
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      same as original
      Vgs (최대)
      original standard
      IGBT 유형
      original standard
      구성
      Dual Dual Drain
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      original standard
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      same as original
      입력
      original standard
      NTC 서미스터
      same as original
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      original standard
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      same as original
      현재 하수구 (Id)-Max
      original standard
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      same as original
      저항 RDS (On)
      original standard
      전압
      same as original
      전압-출력
      original standard
      전압 오프셋 (Vt)
      same as original
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      original standard
      전류 밸리 (Iv)
      same as original
      전류-피크
      original standard
      응용프로그램
      general purpose
      트랜지스터 유형
      2 N-Channel
      SPQ
      3k/reel
      Forward Transconductance - Min:
      105 S
      Typical Turn-Off Delay Time:
      40 ns
      Typical Turn-On Delay Time:
      25 ns
      Fall Time:
      15 ns
      Rise Time:
      19 ns
      Channel Mode:
      Enhancement
      Unit Weight:
      0.017870 oz
      Lead Shape
      No Lead
      Pin Count
      8

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