설명
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
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드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
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전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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설명
바이폴라 트랜지스터-BJT 500mA 300V PNP
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