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Shenzhen Hengjintong Electronics Co., Ltd.
1 yr
CN
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주요 속성
기타 속성
원래 장소
China
유명 상표
As shown
모델 번호
silicon wafer
유형
기타
방법
융합 결합
직경
2/3/4/6/8/12 인치
장치 두께
2-300 um
관용
+/-0.5 um-2 um
오리엔테이션
100/111/110 또는 다른 사람
전도도
P 형/N 형/고유
저항성
0.001-100000 옴-cm
도판트
붕소/인/안티몬/비소
산화물 두께
500A-4 um
핸들 웨이퍼
핸들 웨이퍼
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1 - 10
> 10
예상 시간(일)
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