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      SPW47N60C3 650V 47A TO-247AC MOSFET 다이오드 삼극관 트랜지스터

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      Shenzhen Yimaoxun Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      SPW47N60C3
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      YMX
      포장 유형
      표면 마운트

      기타 속성

      장착 유형
      NTC10D-5
      설명
      1N4007
      원래 장소
      Guangdong, China
      패키지/케이스
      1
      신청
      마이크로폰
      공급 유형
      원래 제조 업체, 기관, 소매, 기타
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타
      品名
      MOS
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      1
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      1
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      1
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      1
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      1
      전원 최대
      1
      주파수-전환
      1
      저항 (R1)
      1
      저항 이미터 (R2)
      1
      FET 유형
      1
      FET 특징
      실리콘 카바이드 (SiC)
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      1
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      1
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      1
      Vgs (th) (최대) @ Id
      1
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      1
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      1
      주파수
      1
      현재 등급 (암페어)
      1
      잡음
      1
      전원 출력
      1
      전압-정격
      1
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      1
      Vgs (최대)
      1
      IGBT 유형
      1
      구성
      단일
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      1
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      1
      입력
      1
      NTC 서미스터
      1
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      1
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1
      현재 하수구 (Id)-Max
      1
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      1
      저항 RDS (On)
      1
      전압
      1
      전압-출력
      1
      전압 오프셋 (Vt)
      1
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      1
      전류 밸리 (Iv)
      1
      전류-피크
      1
      응용프로그램
      1

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