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4H-SiC 의 6 인치 실리콘 카바이드 웨이퍼, RF 및 마이크로웨이브 장치용 N 형 및 반절연 변형 모두 사용 가능
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주요 속성
기타 속성
원래 장소
Shanghai, China
유명 상표
XINKEHUI
모델 번호
4H-SiC
유형
sic wafers
Grade
Z P R
Diameter
150
Thickness
500 /350 UM
Wafer Orientation
0001
MPD
1 cm-2
4H-N Resistivity
0.015~0.025
4H-SI Resistivity
>1E5
Doping
N/SI
Primary Flat
10-10
Primary Flat Length (N type)
47.5 mm
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
12X7X9 cm
단일 총 중량:
0.010 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 15 | > 15 |
| 예상 시간(일) | 30 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized logo
최소 주문: 1
Customized packaging
최소 주문: 1
Graphic customization
최소 주문: 1
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