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지케이 PMV213 SN215 TO-236AB 모스핏 N-CH 100V 1.9A TO236AB PMV213SN,215

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Shenzhen Zhike Electronics Co., Ltd.복합 전문 공급업체2 yrsCN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
PMV213SN,215
유형
Single FETs MOSFETs
유명 상표
Cicotex
포장 유형
TO-236AB

기타 속성

장착 유형
표면 마운트
설명
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
원래 장소
Texas, United States
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
유형
단일 FET MOSFET
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
시리즈
트렌치 모스
D/ C
-
신청
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
공급 유형
새로운 디자인이 아닙니다.
상호 참조
-
미디어 가능
-
品名
트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N-채널
FET 특징
MOSFET (금속 산화물)
드레인 근원 전압 (Vdss)
100 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
7 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
330 pF @ 20 V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
+-30V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
트랜지스터 유형
-
전력 분산 (최대)
280mW (Tj)
패키지
테이프 & 릴 (TR), 컷 테이프 (CT), 디지릴
드라이브 전압 (최대 Rds 켜기, 최소 Rds 켜기)
10V
제품 상태
새로운 디자인이 아닙니다.
기술
MOSFET (금속 산화물)
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOQ
1 PC
품질
신규 및 원본
보증
360 일
보증인
Cicotex 그룹

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
1X1X1 cm
단일 총 중량:
0.100 kg

커스터마이징

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최소 주문: 1
Customized packaging
최소 주문: 1
Graphic customization
최소 주문: 1

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