설명
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
원래 장소
Texas, United States
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
신청
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
7 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
330 pF @ 20 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
응용프로그램
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
패키지
테이프 & 릴 (TR), 컷 테이프 (CT), 디지릴
드라이브 전압 (최대 Rds 켜기, 최소 Rds 켜기)
10V
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3