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Shenzhen Yushuoxin Semiconductor Technology Co., Ltd.
4 yrs
CN
주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
STW70N60DM2
유형
MOSFET
유명 상표
ST
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
원래 장소
Original manufacturer
패키지/케이스
TO-247
D/ C
최신 년
신청
전원
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, 다른
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 다른
品名
MOSFET 66A600V TO-247
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
66A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
600V
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
66A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
66A
작동 온도
-55TO + 175
마운트 유형
구멍
FET 유형
NPN
FET 특징
안정적인
드레인 근원 전압 (Vdss)
600V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
66A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
600V
현재 등급 (암페어)
66A
전압-정격
600V
구성
안정적인
전압 고장 (V (BR) GSS)
600V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
66A
현재 하수구 (Id)-Max
66A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
600V
저항 RDS (On)
안정적인
전압
600V
전압-출력
600V
전압 오프셋 (Vt)
600V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
66A
전류 밸리 (Iv)
66A
전류-피크
66A
응용프로그램
안정적인
포장 및 배송
포장 세부정보
Brand new original original box yuan label.
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
55X16X5 cm
단일 총 중량:
0.010 kg
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리드 타임
수량 (개)
1 - 500000000
> 500000000
예상 시간(일)
7
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최소 주문: 500000
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Shenzhen Yushuoxin Semiconductor Technology Co., Ltd.
4 년
위치 CN
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10000 - 499999 개
US$4.18
500000 - 9999999 개
US$4.16
>= 10000000 개
US$4.15
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