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트랜지스터 20N60c3 Spw20n60c3 20N60B3D N 채널 650V 40Amp To-247 IGBT 20N60 Mosfet 20N60 igbt
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Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.
7 yrs
CN
주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
20N60c3 mosfet
유형
mosfet
유명 상표
Yarun
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
원래 장소
Jiangsu, China
패키지/케이스
TO220
D/ C
20
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
20N60 mosfet
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
110A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
55V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
standard
전원 최대
standard
주파수-전환
standard
작동 온도
125℃
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
standard
저항 이미터 (R2)
standard
FET 유형
standard
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
60v
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
110A
Rds (Max) @ Id, Vgs
5.0
Vgs (th) (최대) @ Id
±25v
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
110
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4
주파수
20
현재 등급 (암페어)
110
잡음
25
전원 출력
5
전압-정격
110
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
25
Vgs (최대)
25
IGBT 유형
MOSFET
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
standard
입력
110A
NTC 서미스터
390A
전압 고장 (V (BR) GSS)
390A
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100UA
현재 하수구 (Id)-Max
110A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
±20
저항 RDS (On)
5.0M
전압
62
전압-출력
20
전압 오프셋 (Vt)
55
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
standard
전류 밸리 (Iv)
110
전류-피크
standard
응용프로그램
standard
Type
Field-Effect Transistor
Product Name
20N60c3 mosfet
Channel
N-Channel
Usage
Electronic Components
Package
TO220
Place of Origin:
Jiangsu, China (Mainland)
Certifications:
ISO 9000
Condition:
New & Unused, Original sealed
QUALITY WARRANTY:
365 DAYS
Application:
Standard
포장 및 배송
포장 세부정보
packing of 20N60c3 mosfet :1000 pcs in a box , and the size is 56*14*4cm,and
5000 pcs in a carton with size 57*23.5*16.5cm. 20 or 30 pcs in a tube
판매 단위:
여러 100
배치당 패키지 크기:
30X14X10 cm
배치당 총 중량:
0.300 kg
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리드 타임
수량 (개)
1 - 100000
> 100000
예상 시간(일)
7
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Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.
7 년
위치 CN
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공급업체의 제품 설명
1 batch = 100 개
200 - 2999 개
US$0.65
>= 3000 개
US$0.58
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